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Snapdragon835のGeekBechスコアがリーク

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Qualomm社のSnapdragon835は間違いなく2017年を象徴するSoCになるでしょう。Qualcommは来年開かれるCES2017において、Snapdragon835についての詳細な情報を発表するしています。現時点では謎も多いSnapdragon835ですが、GeekBenchスコアがリークされたので見ていきましょう。

 GeekBench4.0によるとEssential FIH-PM1と呼ばれるデバイスが存在するようです。これは開発段階のテストモデルだと思われます。

このテスト機にはID ARM implementer 81によるプロセッサーが確認できます。これはQualcomm Kyroアーキテクチャーに属します。

多くの噂からSnapdragonは1.9GHz 8コアであると言われているので、これらを統合すると、おそらくSnapdragon835が搭載されていると言えます。

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上の画像で確認できますが、シングルコアで1844ポイント、マルチコアで5426ポイントとなっています。点数ではそれほど優れているわけではありません。

Snapdrgon821を搭載したOnePlus3Tではシングルコア1924ポイント、マルチコア4969ポイントを記録していますし、Huaweiの最新Kirin960を搭載したMate9はシングルコアで1949ポイント、マルチコアで6439ポイントを記録しています。

おそらく最大クロックまで引き上げてのテストではないと思われます。

 

事前の情報によれば、Snapdragon835は10nmで製造され、SnapdragonX16 LEモデムを備え、QuickCharge4.0をサポートすることがわかっています。

CES2017での正式発表が楽しみですね!

 

 

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